9月20日，长鑫存储在2026世界制造业大会上正式宣布第五代DRAM技术平台（G5）实现全面量产，同步展出基于该平台打造的24Gb大容量LPDDR5X量产产品，标志着国产高端DRAM正式突破海外技术壁垒，跻身全球顶尖量产工艺第一梯队。

这不仅是长鑫存储自身技术路线的里程碑跨越，更将为中国半导体存储产业筑牢底层自主可控根基，为全球存储供应链注入全新的稳定力量。

全维度工艺突破，极限挖掘DUV路径潜力

G5平台最核心的行业突破，是在不依赖EUV光刻机的前提下，依托自主创新的四重曝光技术，将内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，这一指标已经接近全球最顶尖DRAM量产平台的制程水平，打破了此前行业普遍认为“15纳米以下DRAM必须依赖EUV设备”的固有认知，走出了一条完全自主可控的高端DRAM量产路线。

围绕这一核心制程突破，G5平台在多个关键工艺维度实现了自主创新：通过变革工艺流程、引入特种新材料，将存储电容深宽比提升至45:1，大幅提升高密度下的电荷存储能力与数据稳定性；成功开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，将核心功能区高度缩小到6762纳米，同步实现芯片尺寸缩减与工作功耗下降。

研发过程中，长鑫搭建起行业独有的DRAM全生命周期数字孪生虚拟研发线，覆盖设计、开发、制造全流程，将新工艺研发周期压缩近40%，大幅降低试错成本。

除此之外，平台还在界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等长期被海外垄断的核心工艺点上实现突破，构建起完全自主的高端DRAM工艺体系。

密度成本双跃升，重构移动存储市场格局

底层工艺的全面突破，直接带来了存储密度的跨越式提升。G5平台每片晶圆产出合格裸片数量，相比第四代平台提升至少50%，在大幅释放产能的同时，直接拉低单颗芯片制造成本，让国产高端DRAM拥有了极强的市场竞争力。

本次同步亮相的两款量产LPDDR5X产品，单颗容量达24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball两种封装规格，可灵活适配中高端智能手机、便携AI终端等不同场景，目前已全面进入国产主流旗舰手机供应链。

全系列产品可覆盖12GB、16GB、24GB多档位容量，速率支持8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps三档标准，完全满足当前消费电子对大内存、高带宽的需求。

目前长鑫在高端移动存储领域已经形成代际双线爆发的格局：2026年8月全球首发量产新一代LPDDR6内存，由小米折叠屏旗舰首发搭载，此次G5平台量产则为高密度LPDDR5X的大规模普及夯实了产能与成本基础，双线布局同步抢占顶级旗舰性能高地与主流市场份额，打破海外厂商在移动DRAM市场的长期垄断。

国产化里程碑，筑牢数字产业底层根基

G5平台的量产，是中国DRAM产业发展的标志性节点。

长期以来，全球DRAM市场被三星、SK海力士、美光三家海外巨头垄断，市场份额占比超95%，国内各领域DRAM芯片几乎全部依赖进口，每年进口成本超千亿美元，供应链安全始终存在极高不确定性。

长鑫G5平台落地后，中国终于拥有了完全自主可控的全球顶尖级DRAM量产工艺，补上了国产存储产业在高端DRAM领域的关键短板。

当前，长鑫商业化进程已进入成熟收获期，2026年上半年实现营收1503.1亿元，净利润776.05亿元，成功扭亏为盈并登陆科创板。依托G5平台的高产能、低成本优势，国产DRAM的市场渗透率将持续快速提升，在智能手机、AI服务器、智能汽车等核心场景逐步实现进口替代。

从全球产业维度看，长鑫G5的大规模量产，也打破了少数海外厂商对DRAM供给与定价权的长期掌控，为全球数字产业提供了更具韧性的存储供应链选择，避免单一区域供应链波动带来的系统性风险。

对于下游中国电子产业而言，自主可控的高端DRAM平台落地，彻底解决了高端存储芯片的“卡脖子”潜在风险，为国内AI产业、智能终端产业的持续创新，筑牢了坚实的底层硬件根基。